Qualcomm ilmoittaa Snapdragon 835: n aallonpituudella 10 nm
Sisällysluettelo:
Qualcomm haluaa vahvistaa johtajuuttaan mobiililaitteiden prosessorimarkkinoilla, ja tästä syystä se ei lakkaa toimimasta täydellä nopeudella, sen uusi tähtiprosessori on Snapdragon 835, joka saapuu vuonna 2017 ja on valmistettu uudella prosessilla 10 nm: llä Samsungilta. energiatehokkuustasot, joita ei ole koskaan ennen nähty Android-universumissa.
Qualcomm Snapdragon 835, tulevaisuuden uusi superprosessori
Uusi Qualcomm Snapdragon 835 -prosessori valmistetaan käyttämällä Samsungin 10 nm: n FinFET LPE ( Low Power Early ) -prosessia vaikuttavan suorituskyvyn saavuttamiseksi samalla kun saavutetaan valtava energiatehokkuus älypuhelimien autonomian parantamiseksi. Uuden valmistusprosessin ansiosta voidaan tarjota uusi siru, jonka suorituskyky on 27% suurempi ja energiankulutus 40% alhaisempi. Mitään yksityiskohtia sen sisäisestä arkkitehtuurista ei ole annettu, mutta se vetoaa varmasti Kryo 2.0 -ytimien käyttöön, jotka voisivat olla kahdeksassa ytimessä jaetussa 8- ytimisessä kokoonpanossa, ratkaisu on hyvin samanlainen kuin Snapdragon 820: ssa, mutta ytimet kaksinkertaistuvat. kustakin klusterista.
Suosittelemme oppaitamme markkinoiden parhaimpiin matalan ja keskitason älypuhelimiin.
Tämä Snapdragon 835 voisi olla debyytti Mobile World Congressissa vuonna 2017 ja se valloittaa varmasti tärkeimmät älypuhelinten valmistajat. Qualcomm on väittänyt, että Snapdragon 820- ja 821 -malleihin on tällä hetkellä kehitteillä yli 200 mallia.
Uudet sukupolvet ja am zen tulevat valmistettuina aallonpituudella 7 nm
AMD: n teknologiajohtaja Mark Papemaster on paljastanut jotain siitä, että Zen 2 ja Zen 3 saapuvat valmistusprosessin alle 7 nm: ssä.
Amd vega aallonpituudella 7 nm odottaa vuoteen 2019
Vega-siruja aallonpituudella 7 nm valmistetaan vasta vuoden 2018 loppuun saakka, joten niiden saatavuus tapahtuu vasta vuonna 2019.
Samsung ilmoittaa ensimmäisen 8 gp lpddr5-muistin, joka on valmistettu aallonpituudella 10 nm
Samsung ilmoitti tänään, että se on onnistuneesti kehittänyt alan ensimmäisen 10 nanometrin LPDDR5-DRAM-muistitikun, jonka kapasiteetti on 8 gigatavua. Samsung ilmoitti tänään kehittäneensä menestyksekkäästi alan ensimmäisen 10 nanometrin LPDDR5 DRAM -muistin, jonka kapasiteetti on 8 gigatavua.
