Samsung puhuu tekniikastaan ​​v

Äskettäin Japanissa järjestettiin Samsung SSD Forum -tapahtuma, jossa eteläkorealainen yritys paljasti ensimmäiset yksityiskohdat seuraavista QLC- tekniikkaan perustuvista 96-kerroksisista V-NAND- muistiyksiköistään.

Samsung antaa ensimmäiset tiedot 96-kerroksisesta V-NAND QLC -muististaan

V-NAND QLC -muistin käyttäminen V-NAND TLC: n yli tarjoaa 33% suuremman tallennustiheyden ja siten alhaisemmat tallennuskustannukset GB: tä kohden, mikä on erittäin tärkeää, jos haluat, että SSD-levyt korvataan kokonaan mekaaniset kiintolevyt joskus. Ensimmäiset Samsung SSD -muistitikut, jotka ottavat käyttöön V-NAND QLC -muistin, ovat suuren kapasiteetin mallit niille asiakkaille, jotka joutuvat tallentamaan suuren määrän dataa ja jotka eivät ehkä ole kiinnostuneita maksimaalisesta suorituskyvystä. tämä tyyppi jää sellaisiin, jotka perustuvat etuihin TLC: hen.

Suosittelemme lukemaan viestin parhaista SSD-levyistä SATA, M.2 NVMe ja PCIe

Samsung on yli vuoden ajan avoimesti työskennellyt erittäin suurikapasiteettisten U.2 SSD -asemien kanssa, jotka perustuvat V-NAND QLC -muistiin. Näitä asemia käytetään WORM (kirjoita kerran, lue useita) -sovelluksiin , joita ei ole optimoitu nopeaa kirjoitusta varten, mutta selvästi parempia kuin kiintolevypohjaiset taulukot. Samsung odottaa ensimmäisten NVMe-asemiensa kanssa QLC: n tarjoavan peräkkäisen lukunopeuden jopa 2500 Mt / s sekä jopa 160 K satunnaisen lukemisen IOPS: n.

Toinen V-NAND QLC -teknologiaan perustuva Samsung-tuotteiden sarja on kuluttajien SSD-levyt, joiden kapasiteetti on suurempi kuin 1 Tt. Nämä asemat käyttävät SATA-liittymää ja tarjoavat peräkkäisen luku- ja kirjoituskyvyn noin 520 Mt / s. Samsung ei odota, että QLC V-NAND korvaa TLC V-NANDin ensisijaisena flash-muistityyppinä milloin tahansa. NAND QLC vaatii kalliimpia ohjaimia, joilla on huomattavasti korkeammat käsittelyominaisuudet, riittävän vastuksen varmistamiseksi.

Anandtech-fontti