Samsung aloittaa toisen sukupolven 10 nm draaman massatuotannon

Ei ole epäilystäkään siitä, että Samsung on yksi parhaista DRAM- ja NAND-muistien valmistajista maailmassa. Etelä-Korea on nyt ottanut uuden askeleen eteenpäin aloittamalla toisen sukupolven DRAM- laitteidensa massatuotannon 10 nm: llä.

Samsung tuottaa jo massatuotantona DRAMia toisella 10 nm: n sukupolvella

Samsungin presidentti Gyoyoung Jin on ilmoittanut, että yritys on jo käynnistänyt uusien DRAM-muistipiirien massatuotannon käyttämällä 10nm: n prosessinsa toista sukupolvea. Tämä uusi tekniikka lisää tuottavuutta 30% verrattuna edelliseen valmistusprosessiin 10 nm: ssä, samalla suorituskyky nousee 10%, kun taas energiatehokkuus lisääntyy 15%.

RAMBUS puhuu DDR5-muistin ominaisuuksista

Näiden parannusten saavuttamiseksi EUV-tekniikkaa ei ole käytetty, mutta Samsungin omaa suunnittelutekniikkaa on käytetty. Yhtiö väittää, että " ilmavälejä " on käytetty vähentämään loisten kapasitanssia, mikä on vähentänyt muistisolujen suorituskyvyn parantamiseksi tarvittavan energian liiallista käyttöä.

Samsungin uusi toisen sukupolven 10 nm DRAM voi toimia nopeudella 3 600 Mbps, mikä tarjoaa huomattavan parannuksen nykyisen muistin 3200 Mbps verrattuna. Samsungin seuraavan sukupolven DDR4-muisti mahdollistaa nopeiden muistisarjojen tuotannon, joissa on vähemmän äärimmäisiä IC-yhdistämisprosesseja, mikä puolestaan ​​voisi alentaa nopean DDR4-muistin hintaa.

Tämä uusi tekniikka ei ole yksinomaan DDR4: lle, mutta sitä käytetään myös tulevissa DRAM-muististandardeissa, kuten HBM3, DDR5, GDDR6 ja LPDDR5. Samsung tekee jo paljon työtä saattaakseen nämä uudet muistityypit markkinoille mahdollisimman pian ja vahvistaakseen siten jälleen kerran johtajuuttaan alalla.

Overclock3d-fontti