Samsung julkaisee uudet ssd v -asemat

Samsung on ilmoittanut aloittavansa uusien 250 Gt: n SSD-levyjen tuottamisen kuudennen sukupolven V-NAND- muistimoduuleillaan, jotka tarjoavat uuden optimoidun suunnittelun, paremman suorituskyvyn ja alhaisemman virrankulutuksen.

Samsung tuo markkinoille uusia V-NAND SSD -muistitikkuja

Vaikka 250 Gt: n SATA SSD -levy ei ole yhtä vaikuttava nykypäivän standardien mukaan, Samsungin kuudennen sukupolven V-NAND avaa oven tulevaisuuden uusille Samsung SSD -muistitikkuille, joiden latenssi on alle 450 mikrosekuntia ja lukemat alle 45 mikrosekuntia. Tämä tarkoittaa latenssin vähenemistä 10 prosentilla, mikä lisää reaktiivisuutta ja suorituskykyä. Lisäksi energiankulutus vähenee 15%.

Yhtiön uudessa 136-kerroksisessa V-NAND -sovelluksessa Samsung tarjoaa 40% enemmän soluja kuin aikaisemmat 96-kerrosmallit, mikä johtaa suurempaan tallennuskapasiteettiin yksikköpinta-matriisia kohti.

Käy markkinoiden parhaiden SSD-levyjen oppaassamme

Kun verrataan 256 Gt: n siruja, Samsungin uusi NAND vaatii paljon vähemmän kanavareikiä kuin aikaisemmin, vähentäen 930 miljoonasta 670 miljoonaan, mikä vähentää siten matriisin kokoa ja valmistuksen monimutkaisuutta. Samsung väittää, että tämä sallii valmistuksen tuottavuuden kasvun 20%. Tämä tuottavuuden kasvu matriisia kohden antaa Samsungille mahdollisuuden vähentää tuotantokustannuksia, mikä on yritykselle upea uutinen NAND-hintojen laskun vuoksi.

Myöhemmin tänä vuonna Samsung aikoo luoda suuremman 512 Gt: n V-NAND TLC: n kuudennen sukupolven tekniikkaansa käyttämällä, mikä mahdollistaa isompien SSD-levyjen ja korkeamman suorituskyvyn solid-state-tallennuslaitteiden luomisen.

Overclock3d-fontti