Toshiban muistiyhtiö ilmoittaa 96-kerroksisista nand bics qlc -piireistään

Toshiba Memory Corporation, maailman johtava flash-tekniikkaan perustuvien muistiratkaisujen valmistaja, on ilmoittanut kehittävänsä prototyyppinäytteen 96-kerroksisesta NAND BiCS QLC -sirusta, sen patentoidusta 3D-flash-muistitekniikasta, jossa on 4-bittinen QLC-tekniikka. solu, joka antaa mahdollisuuden lisätä yhden sirun kapasiteettia merkittävästi toistaiseksi korkeimmalle tasolle.

Toshiban 96-kerroksinen BiCS QLC NAND -muisti mahdollistaa 1, 33 terabitin kapasiteetin yhdellä sirulla

Toshiba Memory Corporation on vahvistanut aloittavansa tämän 96-kerroksisen NAND BiCS QLC -muistitekniikan ensimmäisten toimittamisen SSD-valmistajille syyskuun alussa, ja se aikoo aloittaa massatuotannon ensi vuonna 2019. Tämä uusi 96-kerroksinen NAND BiCS QLC -piiri mahdollistaa 1, 33 terabitin kapasiteetin yhdellä sirulla, joka on kehitetty yhdessä Western Digital Corporationin kanssa. Käyttämällä 16 näistä siruista yhdessä paketissa on mahdollista rakentaa SSD-asemia, joiden kapasiteetti on 2, 66 TB, mikä on todellinen saavutus alalla.

Tällä tavoin Toshiba Memory Corporation on valmis johtamaan tuotevalikoimaa, joka on keskittynyt käsittelemään matkaviestimien tuottamia valtavia tietomääriä, SNS: n laajenemista ja edistymistä Internetissä. Kaikkia näitä tietoja on käytettävä reaaliajassa, joten SSD-tallennus on välttämätöntä, koska sillä on suuri nopeusetu mekaanisiin kiintolevyihin nähden. Toshiba Memory Corporation esittelee näihin 96-kerroksisiin NAND BiCS QLC -piireihin perustuvat pakkaukset Kalifornian Santa Claran vuoden 2018 Flash Memory Summit -kokouksessa 6.-9. Elokuuta.

Toshiba Memory parantaa edelleen muistikapasiteettia ja suorituskykyä ja kehittää uusia tekniikoita vastaamaan markkinoiden erilaisiin tarpeisiin, mukaan lukien nopeasti kasvavat tietokeskuksen varastointimarkkinat.

Techpowerup-fontti