Samsung käynnistää valmistusprosessinsa 7 nm: n aallonpituudella
Sisällysluettelo:
Samsung on aloittanut 7 nm: n sirujen valmistusprosessin EUV- tekniikalla. Tarina seuraa tämän kuukauden aiemman samanlaisen ilmoituksen nojalla sen suurimmalla valimokilpailijalla, TSMC: llä.
Samsung pystyy jo valmistamaan 7nm siruja käyttämällä EUV-tekniikkaa
Etelä-Korean jättiläinen ilmoitti myös ottavansa näytteitä 256 Gt: n RDIMM-moduuleista 16 Gbit DRAM-sirujensa perusteella ja suunnittelevansa puolijohdeasemia, joissa on sulautetut Xilinx-FPGA- moduulit. Mutta 7nm uutiset olivat tapahtuman kohokohta, virstanpylväs, jota ohjaa osittain sen sisäinen kehittäminen EUV-maskin tarkastusjärjestelmään.
Suosittelemme lukemaan viestiämme TSMC: stä, joka on Applen prosessorien tärkein toimittaja
7LPP-prosessi tarjoaa jopa 40% pienennyksen ja jopa 20% enemmän nopeutta tai 50% vähemmän virrankulutusta verrattuna sen nykyiseen 10 nm solmuun. Prosessin sanotaan houkutellut asiakkaita mukaan lukien verkkojättiläiset, verkkoyritykset ja mobiilipalveluntarjoajat, kuten Qualcomm. Samsung ei kuitenkaan odota asiakasilmoituksia vasta ensi vuoden alussa.
EUV-järjestelmät tukivat 250 W: n valonlähteitä jatkuvasti aiemmin tänä vuonna Samsungin S3-tehtaalla Hwaseongissa, Etelä-Koreassa, kertoi Samsungin valimomarkkinoinnin johtaja Bob Stear. Tehotaso nosti esityksen jopa 1500 kiekkoon päivässä. Siitä lähtien EUV-järjestelmät ovat saavuttaneet huipun 280 W, ja Samsung pyrkii 300 W: iin.
EUV poistaa viidesosan tarvittavista maskeista perinteisillä argonfluorijärjestelmillä, mikä lisää satoa. Solmu vaatii kuitenkin vielä useita kuvioita pohjakerroksissa linjan etupuolella. Samsung tekee epäilemättä asiat erittäin vaikeiksi TSMC: lle.
Techpowerup-fonttiQualcomm ilmoittaa Snapdragon 835: n aallonpituudella 10 nm
Uusi Qualcomm Snapdragon 835 -prosessori rakennetaan 10nm FinFET LPE -prosessilla vaikuttavan tehokkuuden saavuttamiseksi.
Samsung ilmoittaa ensimmäisen 8 gp lpddr5-muistin, joka on valmistettu aallonpituudella 10 nm
Samsung ilmoitti tänään, että se on onnistuneesti kehittänyt alan ensimmäisen 10 nanometrin LPDDR5-DRAM-muistitikun, jonka kapasiteetti on 8 gigatavua. Samsung ilmoitti tänään kehittäneensä menestyksekkäästi alan ensimmäisen 10 nanometrin LPDDR5 DRAM -muistin, jonka kapasiteetti on 8 gigatavua.
Intel kertoo 10nm: n valmistusprosessinsa
Intel on julkaissut kaksi videota sirun suunnittelusta ja viimeisimmän solmun 10 nm: n valmistusprosessista.
